Vishay推出新型650V SiC肖特基二极管提升高频应用能效

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MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。

Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响——从而使二极管能够在更高的温度下工作。

 

器件适用于服务器、电信设备、UPS 和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和 LLC 转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用 2L TO-220AC 和 TO-247AD 3L 封装,额定电流为 4A~40A,可在 +175˚C 高温下工作。