Vishay推出新型650V SiC肖特基二極體提升高頻應用能效

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MPS二極體可遮罩肖特基勢壘產生的電場,減少漏電流,同時通過空穴注入提高浪湧電流能力。與矽肖特基器件相比,新型二極體處理電流相同的情況下,正向壓降僅略有上升,堅固程度明顯提高。

Vishay Semiconductors 器件採用混合 PIN Schottky(MPS)結構設計,通過降低開關損耗提升高頻應用能效,不受溫度變化的影響——從而使二極體能夠在更高的溫度下工作。

 

器件適用於伺服器、電信設備、UPS 和太陽能逆變器等應用領域的功率因數校正(PFC)續流、升降壓續流和 LLC 轉換器輸出整流,為設計人員實現系統優化提供高靈活性。二極體採用 2L TO-220AC 和 TO-247AD 3L 封裝,額定電流為 4A~40A,可在 +175˚C 高溫下工作。