意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率电晶体，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。 MasterGaN4现已投产，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。
凭借GaN技术和意法半导体整合式产品的优势，采用新产品的充电器和适配器比普通矽基解决方案缩减尺寸80％，减重70％。开创更小、更快充电器电源时代。
应用范围:
- GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。
- MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。
- 75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。
- 智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。
*MASTERGAN1, MASTERGAN2及MASTERGAN4已量產了。
