意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率電晶體，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。MasterGaN4現已投產，採用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。
憑藉GaN技術和意法半導體整合式產品的優勢，採用新產品的充電器和適配器比普通矽基解決方案縮減尺寸80％，減重70％。開創更小、更快充電器電源時代。
應用範圍:
- GaN電晶體開關性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性元件和散熱器，設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。
- MasterGaN4非常適用於對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。
- 75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。
- 智能手機的超快充電器和無線充電器、用於PC和遊戲機的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽能儲電系統、不斷電供應系統或高端OLED電視機和雲伺服器等工業應用。
*MASTERGAN1, MASTERGAN2及MASTERGAN4已量產了。
