MCC的650V、1200V IGBT具有低导通损耗和低关断损耗

MCC

MCC的IGBT采用了沟槽栅场截止型(Trench-Field Stop)技术,提供了优异的电流导通能力、低导通损耗和低关断损耗。由于VCE(sat)正温度特性,IGBT允许并联使用,并且使用相对简单。

随着产品的多样化,工程师可以有更多的选择来确定适合的物料在他们的应用中。

 

产品优点:

    • 低Vce(sat)以实现低传导损耗

    • 低Eon/Eoff低开关损耗

    • 高电流传导率

    • 包括快速&软恢复反并联FWD 正温度系数

    • 易于并联

 

应用范围:

    • 电焊机

    • 电源

    • 变频器

    • 伺服

    • 光伏

 

产品型号